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Material Sciences 材料科学, 2012, 2, 68-71
http://dx.doi.org/10.12677/ms.2012.22012 Published Online April 2012 (http://www.hanspub.org/journal/ms)
Calculation of Interplanar Spacing in Hexagonal
Close-Packed Crystal
Quncheng Fan
State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University, Xi’an
Email: qcfan@mail.xjtu.edu.cn
Received: Feb. 19th, 2012; revised: Feb. 24th, 2012; accepted: Mar. 2nd, 2012
Abstract: Based on a principle of analytic geometry, a “site-factor S” of an addition atom was suggested to take as a
tool for calculating interplanar spacing. With the “site factor S”, the interplanar spacing of hexagonal close-packed
crystal was calculated and confirmed by some examples, and the result showed that it has 6 kinds of possible interplanar
spacing. The correlativity between the interplanar spacing and the structure-factor were analysed, and relation between
the additional plane and the missing reflection plane was discussed.
Keywords: Interplanar Spacing; Calculation Principle; Calculation Method; Site-Factor S; Hexagonal Close-Packed Crystal
密排六方晶体面间距的计算
范群成
西安交通大学材料强度国家重点实验室,西安
Email: qcfan@mail.xjtu.edu.cn
收稿日期:2012 年2月19 日;修回日期:2012年2月24 日;录用日期:2012 年3月2日
摘 要:基于解析几何基本原理,提议用添加原子的“位置因子 S”作为计算晶面间距的工具。使用“位置因
子S”,算得密排六方晶体六种可能的面间距,并得到实例验证。分析了晶面间距与结构因子的相关性,并讨论
了附加面与消光面的关系。
关键词:晶面间距;计算原理;计算方法;位置因子 S;密排六方晶体
1. 引言
面间距是晶体的重要参数,是晶体衍射测量的结
果数据。计算 7种初级晶胞晶面间距的公式已很完备。
而对多原子晶胞晶面间距的计算,就是要根据具体情
况,对相应的初级晶胞晶面间距的公式进行修正,即
乘以修正系数。
钛、镁、锌等密排六方晶体是一类重要的材料,
但对其面间距的计算,国内外诸多专著及教科书[1-7]
中却很少介绍。即使介绍,也是将衍射的消光条件错
误地当做晶面间距的修正条件。本文依据解析几何的
基本原理,阐明了晶面间距的计算原理,并提议用添
加原子的“位置因子 S”作为计算面间距的工具。使
用“位置因子 S”得出了密排六方晶体面间距的计算
方法,并应用实例进行了验证。分析了晶面间距与结
构因子的相关性,并讨论了附加面与消光面的关系。
2. 晶面间距的计算原理
密排六方晶体的布拉菲点阵是简单六方,简单六
方点阵的面间距 hkl
d

可用下式计算:
2
22
2
1
4
3
hkl
dhhkk l
c
a

 


(1)
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68
密排六方晶体面间距的计算
式中,h、k、l为互质的整数,a和c为点阵常数。
密排六方晶体的一个晶胞含有两个同种原子。相
对于简单晶胞,添加原子的加入会使某些方位的


hkl
晶面中出现附加面,其面间距必须修正。其晶面间距
的计算,就是要确定出现附加面的条件,并确定相应
的修正系数。
晶面指数是由原子面的截距确定的。如图 1所示,
简单晶胞的

晶面组包含无数个相互平行间距相
等的原子面(图中实线面),它们虽具有同一面指数,
但截距不同。距坐标原点最近的原子面在坐标轴上的
截距分别为

hkl
1h、1k和1l。由于点阵的周期性重复,
其他原子面的截距整数倍于1h、1k和1l,可表示
为ph、pk和pl,其中 p为整数。添加原子产生
附加面(图中虚线面)后,附加面的截距不再整数倍于
1h、1k和1l,可表示为

pmqh、

pmqk、

pmql,其中 m和q为互质的整数,且mq

。
综合这两类原子面(附加面、非附加面),可将原子面
的截距统一表示为


pmqh、


pmqk、

pmql。显然, 的面不是附加面,其面间
距不须修正,,而 的面是附加面,其
面间距应当修正为
0m
hkl
d

hkl
d0m

hkl
qd

hkl
dm。
解析几何中,一个平面在三个坐标轴上的截距 a、
b、c与该平面内任意一点(,,
x
yz)满足如下关系:
1
xyz
abc
 (2)
将原子面的截距代入(2)式,可得

1
xyz
pmqh pmqkpmql


m
pq
k

O
m
pq
h

2m
q
h

1m
q
h

m
q
h
2
h
1
h
p
h
2l
pl
1l

pmql

2mql

mql

1mq l
Z
Y
X
Figure 1. Schematic diagram showing the intercepts of atom planes
() for a primary crystal cell and the intercepts of its
additional atom planes ()
图1. 简单晶胞原子面()的截距及其附加原子面()的
截距示意图
即
m
hx ky lzpq

 (3)
为方便起见,引入“位置因子 S”——晶胞中添
加原子的位置(,,
x
yz)与晶面指数(hkl )的点积,将(3)
式表达为
m
Shxkylzpq

 (4)
位置因子表征了添加原子(,,
x
yz)所在的 原子面

hkl
的特征:是(0m

)不是(m附加面、附加面间距
的修正系数(
0)
mq)、以及该 面到坐标原点的距离
(
原子


pmqd
hkl

为计算面间距的工具。
,即 0m
),可以作
当S = 整数

、Sp时,添加原子所在
的


l原子面不是附加面;

间距不须修正,
即d
hk
hkl
d
hkl 晶面
hkl


;该原子面到坐标点的距离为 pd原hkl

。
整数,即 0m当S ≠

、Spmq 时,原添加
子所在的


hkl 原子面是附加面; 修
正系数为

hkl 晶面间距的
mq,即


dmqd

坐标
原点的距离为
hklh ;该附加面到
kl


hkl
qdpm


简言之,当 面
。
S = 整数时,间距不须修正;当 S =
分数时,修正系数为其分数mq。
3. 密排六方晶体面间距的计算方法
将添加原子的位置坐标(23,13,12)代入(4)
式,
得
2
332 6
hklm m
Sp
qp

 (5)
当 时,


hkl0m

面中无附加面,面间距不须修
正, hkl hkl
dd


,添 子所在的原子面到坐标原点的
距离为
加原
hkl
pd

。
当 时,


hkl
0m

面中有附加面,面间距的修正
系数为 6m,


6dmd
,该附加面到坐标原点
的距离为
hkl hkl


6hkl
dpm


由上可见
。
,密排六方晶体中只可能有 6种面间距:
hkl
d

,6dhkl

,3dhkl

,2d,
hkl 23d,
hkl 56dhkl

。
于 简胞两近 平 位
置的附加面,会同时形成两个不等但互补的面间距:
不位 其相应 单晶个最 邻原子 面中央
3dhkl

和23dhkl

,或 6dhkl

和56d。计算所得密排
。
hkl
六方晶体的面间距列于表 1
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密排六方晶体面间距的计算
Table 1. Interplanar spacing of
表1. 密排六方晶体
HCP crystal
的面间距
2hk l hkl
d
3n(n为整数) 奇数 2
hkl
d
3n 偶数 hkl
d
3 n ± 1奇数 6
hkl
d,56
hkl
d

3n ± 1 偶数 3
hkl
d,23
hkl
d

4. 计算方法应用举例及验证
计算及验证。 例1. 密排六方晶体(100)晶面间距的
21 12
0 10
33 23
S ,100 100
23dd

和
100100 3dd

.
图2显示了添 在的(100)附加面(虚线)及
其晶
方晶体(110)晶面间距的计算及验证。
加原子所
面间距。
例2. 密排六
211
0S11 1
332
 
,
图3显示了添加原子所在的(110)原子面及其晶面
间距
110 110
dd

.
。
a
1
O
c
a
2
(a) (b)
100 3d
a
1
a
2
100
2
3d
100
d
O
Figure 2. Schematic diagrams showing the (100) interplanar
spacing in a HCP cell: (a) Perspective view; (b) Vertical view
图2. 密排六方晶胞(100)面间距:(a) 立体图;(b) 俯视图
(b)
a
1
a
2
O
110
d
(a)
O
c
a
2
a
1
Figure 3. Schematic diagrams showing the (110) interplanar
。
spacing in a HCP cell: (a) Perspective view; (b) Vertical view
图3. 密排六方晶体(100)面间距:(a) 立体图;(b) 俯视图
例3. 密排六方晶体( 111)晶面间距的计 及验证算
211 1
1111S332 2

 ,111111 2dd

.
图4显示了添加原子所在的(111)附加面(虚线)及
其晶
方晶体(101)晶面间距的计算及验证。
面间距。
例4. 密排六
21 11
1011S33 26

,101101 6dd

,
101 101
56dd


.
图5显示了添 原子所在的(101)附加面(虚线)及
其晶
间距与结构因子的相关性
衍射强度的
重要
加
面间距。
5. 讨论
5.1. 晶面
根据晶体衍射理论[5],决 定

hkl 晶面
因素结构因子hkl
F
为
1
j
n
hkl j
j
i
F
fe



 (6)
(b)
(a)
[110]

O
c
[110]
111
2
d
111
d
a1
[110]
a2
c
O
Figure 4. Schematic diagrams showing the (111) interplanar spacin
in a HCP cell: (a) Perspective view; (b)
g
[]110 projective view
图4. 密排六方晶体(111)面间距:(a) 立体图; (b) []110 方向投影图
c
(b)
[010]

[210]
O
101
5
6d

101
6
d
101
d
(a)
a2
c
[010]
a1
O
Figure 5. Schematic diagrams showing the (101) interplanar spacin
in a HCP cell: (a) Perspective view; (b) projective view g
[]010
图5. 密排六方晶体(101)面间距:(a) 立体图;(b) []010 方向投影图
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70
密排六方晶体面间距的计算
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式中,f为一个原子的散射因子,

为晶
标为(x y、z)与原点处原子
面上的原子(坐对 初级点阵来说,其添加原子都位于点阵
的结点点阵的重复特性,晶胞所有
子“
7种非
。由于周期性中 原


hkl、经 晶面反射后的位向
差,
(7)
表2综合了密排六方晶体的结
所列的晶面间距计算结果。
所列
的相关性:面间距较小的晶 构因子也较小。
两者之间的这种关联,源自与二者都密切相关的参量
是决定晶面间距修正系数的唯一参量:当 =
整数时,面间距不须修正;当 S = 分数时,修正系数
为其真分
周围环境完全相同”。添加原子所在的面一定位
于其相应简单点阵中两个最近邻点阵平面的中央,
2
hkl hkl
dd


,使光程差减半,产生消光。
而对密排六方晶体,其添加原子的位置(

2πhx ky lz


构因子[5]以及表 123,
13,12)并 胞顶角处
原子 子
生了附加
不是点阵的结点,因为他与晶
表2结果表明,晶面间距与结构因子有很好
面,其结
并不处于“完全等同”的位置。如果添加原 产
面,这个附加面不一定都位于简单六方点阵
中两个最近邻点阵平面的中央。只有那些 2
hkl hkl
dd


的附加面才会消光,其他附加面只是改变了衍射强度
而已。
6. 结论
——添加原子的位置因子 S。
S S
加原子的位置因子 S,作为计算晶面
间距的工具。
数mq。

是决定结构因子的重要参量,而且也与 密切
相关:
(8)
由此不难理解,位置因子 S是联系晶
构因子的纽带。
光面的关系
附加面,结构因子
的面为消
7种非初级
体心正交、体心四方、体心立方、面心正交、面心立
方)的附加面就是其消光面,且
S1) 提议用添

2π2πhx ky lzS


面间距与结
m
Shxkylzpq


5.2. 附加面与消
晶面间距 hklhkl
dd

的面为
20
hkl
F光面。
众所周知, 点阵(底心单斜、底心正交、
2
hkl hkl
dd

然而,密排六方晶体的情况并非如此。表2所列
果表明
。
结:附加面并非一定都消光,只有其中
2
hkl hkl

度发生变化。
差别
dd的面才消光;其他情况下,只会使衍射强
出现上述 的根本原因在于,密排六方不是点
阵。
. Structure-factor and interplanar spacing of HCP
crystal
的
Table 22
hkl
Fhkl
d
表2. 密排六方晶体 结构因子2
hkl
F及晶面间距
hkl
d
2hk l 2
hkl
F
hk
dl
3n(n为整数) 奇数 0 2
hkl
d
3n 偶数 2
4
f
hkl
d

3n ± 1 奇数 2
3
f
6
hkl
d,56
hkl
d

3 n ± 1偶数 2
f
3
hkl
d,23
hkl
d

它表征了添加原子(,,
x
yz)所在的 原子面的
特征:是

hkl
(0m

)不是(0m

)附加面、附加面间距的
修正系数(mq)、以及该面到坐标 点的距离
(
原子 原


pmqhkl
d


2) 用位置因子 S计算得到,密排六方晶体共有 6
种 距:
)。
可能的面间 、6
hkl
d、3
hkl
d
hkl
d

、2
hkl
d

、
23
hkl
d

、56
hkl
d

,并被实例所验证。
3) 密排六方晶体 结间距密切相
置因 者间的纽带。
的 构因子与其面
关,位 子是二
一种。
参考文献
[1] J. D. Vs of physical metallurgy. New
1995.
raphy. New York: John Wiley
.
4) 由于密排六方晶体的添加原子不位于阵点位
置,其消光面只是 5种附加面中的
(References)
erhoeven. Fundamental
York: John Wiley and Sons, Inc.,
[2] J.-J. Rousseau. Basic crystallog
and Sons, Inc., 1975.
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Sarup and Sons, 2000.
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York: Academic Press, 1977.
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Addison-Wesley Publishing Company, Inc., 1956: 113-123.
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海交通大学出版社, 2006: 27.
[7] 陈立佳. 材料科学基础[M]. 北京: 冶金工业出版社, 2007: 12

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