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Material Sciences
材料科学
, 2011, 1, 1-6
http://dx.doi.org/10.12677/ms.2011.11001
Published Online April 2011 (h
ttp://www.hanspub.org/journal/ms/)
Copyright © 2011 Hanspub
MS
Progress on Single Crystals in Substrate Materials
Jingcun Zang
College of Materials Science and Engineering, Beijing University of Technology, Beijing
Email:zangjc@bjut.edu.cn
Received: Mar. 15th, 2011; revised: Mar. 28th, 2011; accepted: Apr. 1st, 2011.
Abstract:
The latest research progress on single crystals in substrate materials was described. In this paper
using and application of single crystal substrates in fluorescence, optico-electronics, magnium, suppercon-
ductor, optical ferro-electrical materials are introduced.
Keywords:
Single Crystal; Substrate; Optico-Electronics; Film; Epitaxy
方兴未艾的单晶衬底材料
臧竞存
北京工业大学材料科学院与工程学院,北京
Email:zangjc@bjut.edu.cn
收稿日期:
2011
年
3
月
15
日;修回日期:
2011
年
3
月
28
日;录用日期:
2011
年
4
月
1
日
摘 要:
介绍了作为衬底材料的一系列单晶的使用状态及其在发光材料、光电子材料、磁性材料、超
导材料、光学材料、铁电材料等方面的应用。
关键词:
单晶;衬底;光电子;薄膜;外延
1.
引言
单晶衬底材料是指用于外延生长晶体薄膜的单晶
晶片,所谓外延是指一定条件下,一种单晶表面上另
一种单晶体的定向生长,提供外延生长基础的晶体称
为衬底
[1]
。它本身可能有某种特殊功能和用途,也可
能只是用来作新材料的衬底,本身并无其它特别用途。
以往作为薄膜衬底的材料有玻璃、陶瓷和金属板材。
衬底材料的重要性可以从
GdN
研制和发展看出来。早
在
70
年代初
人们就开始探索
GaN
材料的生长工艺,但
是因为找不到合适的衬底材料,以及
GaN
在高温生长
时氮的平衡分解压力高,因此直到
1987
年以前,材料
的质量进展迟缓。美国政府
2
002
年用于
GaN
及其衬底
材料的相关研发的财政预算超过
5500
万美金。
我国家
科技部
2002
年度“科技型中小企业技术创新基金若
干重点项目指南”中,人工晶体及发光二极管均被列
入其中
,而发光二极管的衬底材料即为蓝宝石衬底片,
国家计委将其列入“
2003
年度新材料专项”中。近年
来,衬底材料和
GaN
发光管才得到快速发展。随着科
学技术的不断开拓,尤其是光电子产业的兴起和发展,
对薄膜性能和质量要求越来越高,原有的衬底材料已
远远不能满足要求,作为衬底的各种单晶材料应运而
生,方兴未艾,其产业规模日益扩大,研究领域也在
不断扩展,研究内容逐步深入。
2.
单晶衬底材料的条件和分类
作为衬底材料的单晶要具备以下基本条件:
1)
物
理化学性能稳定;
2)
易于获得大尺寸单晶;
3)
热导
率高;
4)
热膨胀系数小;
5)
耐热性好;
6)
加工性能
好。衬底单晶材料按导电性可分为:
1)
金属导体,如
铜单晶;
2)
半导体,如硅单晶、锗单晶、砷化镓、碳
化硅等;
3)
绝缘体,如石榴石,尖晶石,宝石等氧化
物单晶。按应用类型可分为发光材料,磁光材料,超
臧竞存 方兴未艾的单晶衬底材料
2
|
导材料,介电材料等。
3.
单晶衬底材料的应用
3.1.
发光材料和激光材料
利用半导体发光二极管
(Lighting Emitting Diode,
LED)
产生白光,
作为普通照明光源,可用替代白炽灯。
因
LED
节能环保,已成为本世纪最有价值的新光源
[2]
。
GaN
作为
LED
的基础材料发展很快,它具有发光效
率高、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度
和高硬度等特性。
但是
GaN
本身至今无法获得体材单
晶,只能在其它异型支撑单晶衬底上外延生长。衬底
材料成为
LED
发展的关键。
目前,常用的衬底有
SiC
,
Al
2
O
3
和
Si
。
SiC
单晶熔点很高,在
2700°C
,单晶生
长采用籽晶升华法,会有
6H
型和
4H
型,控制难度较
大。直到
1991
年
6H-SiC
才形成商品化,而
4H-SiC
的商品化则是从
1994
年开始。从而为
1996
年发光管
的诞生奠定了基础。美国是最先也是目前仍在使用其
作为衬底生长
GaN
的国家。我国目前已有中科院物理
所,山东大学晶体所,西安交大,湖南大学等单位研
制成功。物理所在
2006
年已成功生长出直径为
50.8
mm
,厚度为
25.4 mm
的
6H-SiC
单晶。
Al
2
O
3
单晶即
蓝宝石,空间群
R
c
3
(167)
。日本采用宝石衬底生长
GaN
,工艺比较成熟。我国也主要采用该法并开展了
广泛的研究。如丁志博等
[3]
在蓝宝石
(0001)
衬底上采用
金属有机化学气相沉积
(MOCVD)
法生长
GaN
基
InGaN/GaN
多量子阱结构外延薄膜。方法是先低温生
长
20 nm
的
GaN
缓冲层,然后在
1060°C
恒温生长
2
μ
m
的
n
型
GaN
单晶再生长量子阱结构层,并采用沟
道散射产额与随机入射产额之比来表征单晶的结晶品
质。样品中
GaN
的结晶品质为
χ
= 2.1%
,在完美结晶
品质
(1%
~
3%)
范围内。浙江巨化集团,上海光机所,
深圳奥普光电子公司等可提供成熟
2
英寸宝石晶片,
宝石晶棒直径最大尺寸可达
150 mm
[4]
。
Si
单晶上生长
GaN
制备
LED
是我国江西最早研
制成功,发光效率已达宝石衬底生长的
90%
。
2009
年
晶能光电(江西)有限公司自主研发“硅衬底发光二
极管材料及器件技术”。它成为中国最大的
LED
制造
中心。
上海光机所研制出
2
英寸等径长度大于
100 mm
的铝酸锂
(LiAlO
2
)
晶体用于高效发光非极性
GaN
基
LED
衬底。并发现
(30 2)LiA lO
2
衬底在抛光、外延、稳
定性等方面优于
(100)LiAlO
2
晶面衬底。
表
1
给出生长
GaN
的主要衬底单晶基本性能。探
索新型单晶衬底仍然是发展
GaN
的重要任务。
氧化锌
ZnO
被认为是性能更好的制备发光管的
材料,体材单晶的制备主要有水热合成法,作为产业
化尚需时日
[5]
。国家特种矿物材料工程技术研究中心
(桂林)张昌龙小组采用温差水热合成法,以块状氧
化锌陶瓷为培养料,
KOH
、
LiOH
和
H
2
O
2
的混合水溶
液为矿化剂体系,在大直径的高压釜中生长出了尺寸
为
30 mm × 38 mm × 8 mm
的氧化锌晶体。氧化锌晶
体
+c(0001)
和
–c(0001)
方向的生长速度分别为
0.17,
0.09 mm/day
。
+c
面的颜色为浅绿色
,
而
-c
面的颜色为
深褐色,晶体呈六边形厚板状
[6]
。氧化锌每年全球产
量为数千吨,德国科学家认为氧化锌将是创造高性能
LED
的突破点。
ZnO
不仅本身是非常有前途的半导体
Table 1. Properties of substrate crystals grown GaN
表
1.
生长
GaN
的主要衬底性能
衬底单晶
晶系
空间群
晶胞参数
/Å
失配度
*
/ %
发光强度
热导率
/Wm
-1
k
-1
价格
Substrate crystals Crystal system Space group Ce
ll parameter Lattice mismatchFluo
rescence Thermo-conductivityPrice
GaN 6 mm
P
6
3
mc(186) a =3.189, c = 5.185
6H-SiC 6 mm
P
6
3
mc(186) A = 3.081, c = 15.12 3.4
高
4.9
高
α
-Al
2
O
3
3167
Rc
3
m
a = 5.12
,
c = 13.0
大
高
25.12
中
Si m3m
I
a3d(230) a = 5.436
中
低
ZnO 6 mm
P
6
3
mc(186) a = 3.2533, c = 5.20732
高
0.54
高
s
f
s
f
aa
f
a
*
晶格失配度,其中
a
s
,
a
f
分别表示衬底和薄膜的晶胞参数。
Cop
yright © 2011 Hanspub
MS
臧竞存 方兴未艾的单晶衬底材料
3
|
材料,也是制备
GaN
薄膜的优良衬底。目前,氧化锌
薄膜的制备成为当前研究的热点。孙成伟等
[7]
采用
n
型
(100)
取向的单晶
Si
片,反应射频磁控溅射方法,制
备
ZnO
薄膜,
ZnO
薄膜表面岛具有比较规则的形状,
呈长方形,大多数表面岛之间彼此平行,薄膜中
ZnO
晶粒与
Si
基体之间存在一定的外延关系。刘红霞等
[8]
在镀有
ZnO
先驱薄膜的
(0001)
蓝宝石上,利用水热合
成法制备出了柱状
ZnO
陈列薄膜,基于蓝宝石衬底沿
c
轴择优生长。
ZnO
阵列薄膜具有很强的紫外发射光
谱
(PL)
。作者曾仔细分析了钨酸锌
ZnWO
4
晶体结构,
发现
ZnWO
4
(100)
面
O
呈
ABAB
型近六方密堆积,其
氧平面与
ZnO
的
c
面氧平面极为接近,
ZnWO
4
晶体
的
(100)
平面与
ZnO
的
(0001)
平面最佳方位的晶格失配
率为
0.83%
。
ZnWO
4
与
ZnO
在该平面有相同的化学组
成。
ZnWO
4
单晶很可能是除
ZnO
体材单晶以外外延
生长
ZnO
薄膜的最佳衬底。
ZnWO
4
晶体的熔点低
(1220°C)
,同成分熔融,可采用提拉法
(Czochralski)
生
长,易于获得大尺寸单晶,位错密度可以做到低于
10
4
/cm
2
。采用溶胶–凝胶法在
ZnWO
4
单晶晶片上制
备出
ZnO
薄膜。通过调整衬底温度和沉积速率,可以
有效控制
ZnO
薄膜的成核和生长,获得较高质量的薄
膜。光谱实验表明,其荧光发射在
396 nm
,与体材单
晶接近
[9-12]
。
日本
Sophia
大学的研究人员利用不同的Ⅱ
-
Ⅵ族
半导体化合物在
InP
衬底上制造激光二极管及发光
管。他们在
InP
衬底上制造
(MgSe) / (BeZnTe)
超晶格
包层以及
BeZnSeTe
有源层,从而制成光泵激光二极
管,该激光器能够发射
548 nm
绿光
[13]
。瑞典林雪平
大学开发了一种快速升华生长工艺,以
SiC
为衬底生
长
AlN
,位错密度低至
2 × 10
6
cm
-2
,
有望开发水处理所
需要的
185 nm
或
265 nm
的
LED
光源。
3.2.
磁光材料
磁光材料在新型器件等领域有着广泛的应用。早
期制备块体
YIG
单晶遇到了困难,但鉴于
YIG
单晶
在微波应用以及磁性能研究方面的重要性
[14]
,于是
YIG
单晶薄膜材料的制备得到了发展。同时随着器件
集成化的发展,找到一种具有巨磁光法拉第效应的磁
光薄膜材料成为实现薄膜波导型器件的关键,各国都
对具有巨磁光法拉第旋转效应
YIG
薄膜材料进行了深
入广泛的研究
[15]
。
YIG
薄膜材料的研究可以大致分为三个阶段:
1
)
未掺杂
YIG
薄膜基本性能的研究;
2
)各种元素掺杂
对
YIG
磁光薄膜的物理性能及磁光性能的影响;
3
)
选用
Bi
或
C
元素掺杂的
YIG
薄膜构造薄膜波导型磁
光隔离器和磁光环行器。
20
世纪
80
年代的研究重点
是薄膜材料。进入
90
年代后,研究的重点转移到薄膜
器件和各种新的制备工艺
[16]
。在这些研究方面,日美
走在了前列。
YIG
单晶薄膜通常是通过液相外延法(
liquid
phase epitaxial
,简称
LPE
)获得的。该方法将拟生长
的单晶组成物质直接熔化或熔化在适当溶剂中保持液
体状态,将用作衬底的单晶薄片浸渍在其中,缓慢降
温使熔化状态的溶质达到过饱和状态,在衬底上析出
单晶薄膜。单晶薄膜的生长厚度由时间和液相过饱和
度来控制。
1965
年
Linares
等
[17]
报道了助熔剂
LPE
,
20
世纪
70
年代该方法应用于磁光材料的研究之中。在磁泡存
储器、磁光现象和静磁表面波研究中,需要在非磁性
钆镓石榴石(
Gd
3
Ga
5
O
12
,简称
GGG
)基片上外延一
层磁性石榴石薄膜。液相外延获得的薄膜质量较好,
生长速度比汽相快,掺杂容易控制,成本低重复性好,
特别是在许多情况下,获得质量大的块状单晶很困难
时,这种技术更显得重要。目前只有日本和美国已经
成熟地掌握了这种技术,磁光晶体薄膜已规模化生产。
这是因为两国在这方面进行了长期的技术积累。例如
占据我国磁光晶体材料市场很大份额的日本
Granopt
公司的母公司之一三菱瓦斯化学株式会社早在
1989
年就申报了一系列有关
LPE
生长
YIG
薄膜材料的专
利
[18-21]
,将
LPE
生长优质石榴石单晶薄膜中的关键材
料和环节都申报了专利保护。并且其与法拉第效应相
关的专利数量到
2004
年已经达到了
50
项,相互之间
形成了专利族,为可能的竞争对手设置了专利技术壁
垒。针对欧盟
2006
年
7
月
1
号实施的欧盟有害物质限
制指令
(RoHS)
,日 本
Granopt
公司也对
LPE
工艺进行
了技术改进,减少助熔剂中铅的含量
[22]
以使产品获得
市场准入。而另一大磁光材料供应商美国的
Integrated
Photonics Inc(IPI)
早在
2007
年
2
月已在其网站发布申
明其产品已经满足
RoHS
的要求,表明自己技术的全
球领先性。我国的磁光材料的研究主体仍然是高校或
Cop
yright © 2011 Hanspub
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臧竞存 方兴未艾的单晶衬底材料
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|
研究所,其产品的核心——磁光晶体基本依靠进口。
另外两种制备
YIG
石榴石薄膜的制备方法是射
频溅射法和脉冲激光沉积法。
射频溅射法制备的薄膜是在非热力学平衡的条件
下形成的。它既可以用来制备
Ce:YIG
薄膜,也可以
用来制备
Bi:YIG
薄膜。不过用该法制备的
Bi:YIG
薄
膜晶体与用
LPE
法制备的薄膜晶体相比,存在着晶体
的缺陷或位错较多,因而
Tc
较低。因此,
在制备
Bi:YIG
薄膜时一般选用
LPE
法。而在制备高掺杂
Bi:YIG
薄
膜时,射频溅射法有着其特有的优势。对于
Ce:YIG
薄膜,由于轻稀土离子
Ce
的扩散系数很小,
Ce
元素
在石榴石薄膜中的浓度受到了限制,因此用
LPE
法来
制备存在技术上的困难。射频溅射法是制备
Ce:YIG
薄膜的最主要的方法。
脉冲激光沉积法这种技术使用
Nd:YAG
激光
(
λ
=
355 nm)
,脉冲频率为
10 Hz
,脉冲宽度为
10 ns
。具 体
的方法是:将能量密度为
90 mJ/pulse
的
Nd:YAG
激光
束照射在不停旋转的多晶
Ce:YIG
的靶材上,衬底为
(111)
取向的
GGG
单晶,其表面涂有一层导电的银泥,
放置在离靶材约
4 cm
的加热装置上,衬底温度设置为
790
℃,淀积时间为
30 min
。该法是制备高品质铁氧
体薄膜材料的一种简捷有效的方法。但用
PLD
制备
YIG
薄膜还存在着一些问题,如薄膜的表面存在着类
似于小液滴状的微米量级的小颗粒,这些颗粒降低了
薄膜的结晶性能,导致薄膜光吸收的增大。
3.3.
超导材料
超导材料一般在超光滑表面单晶衬底上制备,所
谓超光滑表面是指粗糙度小于
1 nm
的表面,其特征为
表面无任何破损、划痕;亚表层无破坏;无表层应力。
这种加工正逐步渗透到诸如超导、巨磁阻、铁电薄膜
等诸多领域。常温相呈准立方结构的
LaAlO
3
,其 晶 格
常数是
0.379 nm
,与高温超导材料
YBCO
的晶格常数
相匹配并且与
YBCO
材料间的化学稳定性也很好。由
于
LaAlO
3
晶体的介电常数
(
ε
= 23)
较小,介电损耗
(tg
δ
= 3 × 10
–5
)
也很低,非常适合作为高温超导微波器件的
衬底材料。尽管其它一些晶体材料也可作为高温超导
的薄膜衬底材料,但用晶格匹配、热膨胀系数、化稳
性、介电常数和介电损耗等综合指标衡量,
LaAlO
3
晶
体在高温超导衬底材料中有其独特的地位。此外,
LaAlO
3
晶体还是较好的铁电及巨磁阻等薄膜的衬底
材料,对
LaAlO
3
衬底材料的超光滑表面加工的研究具
有重要的实用意义
[23]
。
3.4.
介电材料
接文静
[24]
采用脉冲激光沉淀法,在制备有
LaNiO
3
电极的
LaAlO
3
(LAO)(001)
衬底上制备了锆钛酸钡
Ba(Zr
0.2
Ti
0.8
)O
3
(BZT)
薄膜,具有较高的介电可调性
(49.1%)
和较低的介电损耗
(2.5%)
,优质因子
(figure of
nerit, FOM)
达到
19.8
。
铁电薄膜材料由于具有铁电性、压电性、热电效
应、电光效应、弹光效应、光折变效应和非线性光学
效应等多种不同性能引起人们广泛关注。王英龙等基
于
Landau-Devonshire
公式,考虑位错应力场和极化场
之间的耦合,建立了基本热力学模型,研究了在
SrTiO
3
(001 )
面衬底上外延生长的
PbZr
0.4
Ti
0.6
O
3
薄膜的
自发极化强度、电滞回线对其厚度的依赖关系
[25]
。
尖晶石
MgAl
2
O
4
熔点超过
2000°C
,热膨胀系
数为
7.5 ppm/°C
,可用于弛豫铁电
PMN-PT
(65%PbMg
1/3
Nb
2/3
O
3
·35%PbTiO
3
)
的外延薄膜沉积的衬
底材料。
D Keogh
等
[26]
采用脉冲激光沉积技术,在
(100)MgAl
2
O
4
制备出
PMN-PT
薄膜,
PMN-PT
薄膜的
热膨胀系数为
8 ppm/°C
,匹配近乎完美。薄膜微结构
呈单晶形态,薄膜衬底间界面清晰,表面光滑平整。
晶格失配度小于
0.5%
,显示出立方–立方外延和很好
的方向性。这一类材料将是制备新一代超声换能器、
高性能微位移和微驱动器的理想材料。
3.5.
非线性光学材料
β
-BaB
2
O
4
(简称
β
-BBO
)晶体是
1984
年由福建
物质结构研究所发现的一种新型非线性光学材料,它
具有倍频系数高、透射波段宽、损伤阈值高、相位匹
配范围宽、折射率温度系数小等特点。但随着激光技
术的集成化小型化,为克服因晶体厚度带来的基频光
与倍频光之间群速度失配问题以及脉宽展宽问题,需
要较薄的
β
-BBO
晶体,但其加工时易碎裂。刘君芳
[27]
等采用取向为
(001)
面的掺
Sr
2+
的
α
-BBO
晶体作为衬底
以
BaB
2
O
4
:Na
2
O = 70:30 mol%
为助熔剂,液相外延法
成功制备出
β
-BBO
。尽管其晶格失配度高达
15.5%
,
但是,由于
α
-BBO
和
β
-BBO
同属于三方晶系,空间
Cop
yright © 2011 Hanspub
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臧竞存 方兴未艾的单晶衬底材料
5
|
群分别为
3167
Rc
和 外延层与衬底之间存
在化学共性,因此外延生长成核和长大比较容易。
3161
Rc
在光学性能中要求镀膜材料有合适的光谱范围和
折射率,
在透光范围有足够小的吸收。苏伟涛等
[28]
使
用
0.2 mm
厚的锗
(111)
基片作为衬底,采用热蒸发技
术制备了氟化铒
(ErF
3
)
薄膜,在
10
μ
m
处,结晶薄膜
的折射率和消光系数最小值分别为
n
= 1.32
和
k
=
0.006
。
4.
几种重要的单晶衬底
4.1. Si
由于微电子尺寸的不断缩小,高介电常数氧化物
薄膜在微电子器件中起着重要作用。唐秋文等
[29]
利用
248 nmKrF
准分子激光器在
Pt/Ti/SiO
2
/Si(100)
衬底 上
沉积
(Ba, Sr)TiO
3
薄膜,并得到两种性质不同的
BSTO
薄膜。一种是在
450°C
,
20 Pa
氧气氛下沉积,可得到
由于结构相变引起的铁电弛豫;另一种是在
550°C
,
1
Pa
氮气氛下沉积,获得由热激发迟豫造成的高介电常
数薄膜。
SiN
x
薄膜具有硬度高、抗腐蚀、耐高温、热导性
与绝缘性好,光电性能优良,因而在微电子领域、微
机械系统等领域都得到了广泛应用。丁万昱等
[30]
采用
经过抛光处理
(100)
取向单晶硅片,依次经过丙酮、酒
精、去离子水超声清洗,然后冲干,微波
ECR
等离子
体增强磁控溅射制备出具有较好结构及性能的无氢
SiN
x
薄膜,
x
最佳值为
1.33
。
在
Si
衬底上沉积制备
HfO
2
薄膜,具有较高的介
电常数的介质(
High-
k
材料)材料替代传统
SiO
2
栅介
质,以减小微尺寸下的栅漏电流密度
[31]
。在
Si(100)
采用溶胶凝胶法和旋转涂敷法制备出高质量的
BaTiO
3
薄膜
[32]
。欧洲半导体研究协会的
Germain
认为
硅作为一种大尺寸低成本衬底,与其它衬底相比,硅
上外延
GaN
是降低
LED
成本的最佳选择。
4.2. GaAs
砷化镓
GaAs
属Ⅲ
-
Ⅴ族化合物半导体材料,禁带
宽度
1.428 eV
,故能在更高温度和更大的方向电压下
工作,是制造大功率器件的优选材料。其电子迁移率
为
8500 cm
2
/v·s
,是
Si
的
6
倍,工作频率高,是制造
高速集成电路和高速电子器件的理想材料。
GaAs
属直
接跃迁时自己在发光和激光二极管的优质材料,也是
重要的衬底材料。
用
GaAs
作衬底
LPE
法生长外延层
Ga
1-x
Al
x
As
双
异质结
(DH)
提高发光效率。
20 mA
下红光量子效率达
15%
,亮度达到
3000 mcd
。
In
0.5
(Ga
1-x
Al
x
)
0.5
P
与
GaAs
衬底晶格匹配,黄光和橙光亮度为
1000 mcd
。孙征等
[33]
采用分子束外延生长以
(001)GaAs
为衬底生长了
InAs/GaAs
异质结结构。
4.3. Al
2
O
3
张开骁等
[34]
采用金属有机物化学气相沉积
(MOCVD)
技术在蓝宝石衬底上外延生长制备出
Al
0.32
Ga
0.78
N/GaN
异质结,是制备高温、高频、大功
率器件最优选的材料体系,在卫星、雷达、通讯等领
域有很大的应用潜力。由于蓝宝石衬底材料热导率较
差,使得器件自热效应非常严重,从而降低了器件的
可靠性,在采用
Si
3
N
4
钝化引入附加张应变,使应变
弛豫度在
34%
左右。
5.
结论
单晶衬底材料发展很快,目前往往是利用现有材
料加以开发,这是初期发展的必然选择。随着科技发
展,探索适应广泛的单晶衬底已提到议事日程。单晶
硅材料因和微电子器件相容,是多种薄膜首选衬底材
料。而有些是同一种薄膜在各种不同衬底上生长,以
求获得材料的最佳性能或最大经济效益,如
GaN
薄膜
衬底有
SiC
、
Al
2
O
3
、
ZnO
、
Si
和
LiAiO
2
等。单晶衬底
材料是光电子产业的基础,光集成和光计算赖以发展
不可或缺的基材。科技人员应关注单晶衬底材料的进
展,主动适应各种新型薄膜的要求,逐步扩大产业形
成规模,降低成本,提高质量,推动产业健康发展
。
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