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Applied Physics 应用物理, 2013, 3, 167-170
http://dx.doi.org/10.12677/app.2013.39031 Published Online November 2013 (http://www.hanspub.org/journal/app.html)
The Derivation of Reduced Density Equation of Mesoscopic
LC Circuit in a Thermal Radiation Field
Xia oj i a n Xi a
The Academy of Physics and Information Engineering, Quanzhou Normal College, Quanzhou
Email: xiaxiaojian18@eyou.com
Received: Sep. 11th, 2013; revised: Oct. 13th, 2013; accepted: Oct. 24th, 2013
Copyright © 2013 Xiaojian Xia. This is an open access article distributed under the Creative Commons Attribution License, which permits unre-
stricted use, distribution, and reproduction in any medium, provided the original work is properly cited.
Abstract: Quantum LC circuit locates inevitably in radiation field; the thermal radiation field is a reservoir which is
described by infinite harmonic oscillators, and quantum LC circuit is a system to be investigated. From the interaction
between mesoscopic LC circuit and radiation field, the radiation is reservoir. We trace out the reservoir and deduce the
equation of density.
Keywords: Mesoscopic LC Circuit; The Radiation Field; Equation of Reduced Density
介观 LC 电路在辐射场作用下约化密度方程的推导
夏小建
泉州师范学院物理与信息工程学院,泉州
Email: xiaxiaojian18@eyou.com
收稿日期:2013 年9月11 日;修回日期:2013年10月13日;录用日期:2013 年10 月24日
摘 要:介观LC 电路不可避免会处于辐射场中,把辐射场看成是由无穷多谐振子组成的,选择介观LC 电路为
研究对象。本文从介观 LC 电路与辐射场相互作用的哈密顿量出发,把辐射场看成库,通过对库求迹,推导了
介观 LC电路在辐射场作用下的密度方程。
关键词:介观 LC 电路;辐射场;约化密度方程
1. 引言
随着对纳米器件研究的深入,电路和器件的尺度
已达到原子尺度尺寸的量级,当电路和器件的尺寸与
电子输运的相位相关长度相当时,必须考虑电路和器
件的量子效应。20世纪 70 年代Louisel 讨论 LC回路
的量子涨落以来[1],已有大量的文献对介观LC 的量
子特性进行了讨论[2-8],由于介观 LC回路不可避免会
处在电磁辐射场环境中,研究介观LC 电路在电磁辐
射场下的量子行为十分必要。我们知道,电磁辐射场
经过量子化后,可以看成是由一系列不同频率的谐振
子组成,我们把介观 LC 电路看成系统,辐射场看成
环境。由于环境是一个巨大的体系,在 Markoff 近似
下,介观电路不会对环境产生影响,但环境会对介观
电路产生影响。本文从介观电路与环境相互作用哈密
顿模型出发,推导介观LC 电路约化密度方程。
2. 介观 LC 回路、辐射场
及相互作用哈密顿量
在时变信号源的作用下,介观LC 回路的基尔霍
夫回路方程为

2
LqLqet


 (1)
其中 21LC


,q为电容所储电荷,与之共轭的量为
Open Access 167
介观 LC 电路在辐射场作用下约化密度方程的推导
电感中的磁通 ,刚开始,,作用完后
,电路自由演化,此时与运动方程(1)相对应
的量子化后的哈密顿算符为
pLq

0et 

0et 
22
11
ˆˆ ˆ
22
2
H
PLq
L

 (2)
ˆ
q和 是电荷和磁通算符,满足
ˆ
p


ˆˆ
,qp i。引 入
降算符 和升算符
ˆ
aˆ
a
1ˆ
ˆˆ
2
aqiP
L






1ˆ
ˆˆ
2
aqi
L






P
(3)
则(2)式可表示为
1
1
ˆˆˆ2
Haa








(4)
算符 与通常的线性谐振子一样,具有
下列性质:
ˆˆ ˆˆ
aa aa

、和
ˆˆ
1an nnan nn

 1
1
(5)
这是介观电路的电磁湮灭算符和产生算符,湮灭
算符和产生算符的物理意义是介观电路释放或吸收
一份能量后,其所处的量子态向下或向上跃迁一个能
级。
我们知道电磁场经过量子化之后[9],可以看成由
一系列谐振子组成的体系,其哈密顿为
2
1
ˆˆ
ˆ
2
jj
j
Hbb






 (6)
辐射场的平均光子数即辐射场的强度为
 
1
ˆˆ
exp 1
jj
nbb kT


  (7)
假设介观 LC电路在电源作用完后处于真空态,
这时与辐射场开始发生作用。我们知道,量子化后介
观L电路可以当作一个能级均匀的线性谐振子,而辐
射场可以看做由频率不同的线性谐振子的集合,当介
观电路辐射的电磁波被辐射场吸收,或者辐射场辐射
的电磁波被介观电路吸收时,介观电路与辐射场发生
作用。这种相互作用就是耦合,系统与环境的耦合方
式共有多种,如系统坐标–环境坐标耦合、系统坐标
与环境振子的速度、系统速度与环境坐标、系统速度
与环境振子速度[10,11]。在这里我们把环境与介观LC
电路的作用看成是坐标–坐标之间的耦合引起的,这
样在相互作用哈密顿中有四个耦合项,
j
ab、
j
ab
、
j
ab

、
j
ab ,在旋转波近似下,可以得到以下哈密顿
量[12](为了简化书写,以下公式中算符都省略上面的
“

”,i
g
为LC 回路与辐射场的耦合系数):


0
I
jjjj j
jj
H
HHaa bbgabab



 




(8)
3. 介观 LC 电路在耗散环境下
Born-Markov-Lindblad方程[12]的推导
设系统的密度算符为 AB

,介观 LC 回路的密度
算符为 A

,辐射场密度为
B

,对 AB

对B求迹就可
得A

。AB

满足 Liouville 方程

d,
d
AB AB
iH
t



(9)
相互作用表象中 AB

和

H
t
与原表象中的AB

和


I
H
t有如下关系
00
exp exp
AB AB
ii
H
tH

 

 
 


t



(10)



exp
it


1010
exp
p
exp
jjj
j
ijj jjj
jj
ii
HtH Ht
aa itbbex
Ht
g
ababi taaitbb
aG ta





 

 
 












Gt




(11)
其中




exp
jj j
j
Gtgb it







AB

满足与 AB

相同的Liouville 方程
d,
d
AB
I
AB
iH
t


 



(12)
下面我们对方程(12)两边积分得到
 
1
0
1
0,
td
AB AB
H
AB ttt
i
 





 
 (13)
把它代回(12)式,可以得到


1
20
d
d
AB 1,0
1,, d
IA
B
t
IAB
H
ti
H
tHtt t


















(14)
把(14)式对系统求迹(对变量 B求迹),我们可以
得到
  
20
d
d
1,, d
t
ABIIAB
TrHt Httt
t












 (15)
其中(14)式的第一项求迹为零。此式推导如下,假设 t
Open Access
168
介观 LC 电路在辐射场作用下约化密度方程的推导
Open Access 169
0
= 0 时刻,系统和库没有关联,此时密度算符
,其中 为
 
00
AB A B




0
A




1,0
BAB
TrH t



0


(17)



exp
0exp
jjjjB
A
jj jB
j
bb KT
Trb bK T











(16)
由于库很大,当库与系统相互作用时,可以认为
库没有改变(即作马尔可夫近似),即有






0
AB A B
tt



。下面把(14)式右边展开,逐
项求出。
由(11)式和(16)式得到
 

   
20
20
20
d1,, d
d
1d
1d
t
AB BIIAB
t
IIABIAB I
t
IABIABII
TrHt Httt
t
TrHtHtt HttHtt
Tr HttHttHtHtt






 




 






 








 


 


(18)
为了简化篇幅,这里给出其中第一项的具体求解 过程
 
   
 



20
20
20
*
0
1d
1d
1d
exp expd
t
IIAB
t
AB
t
AB
t
kjjj mmmABk
kj m
TrHt Httt
TrGtGt aaGtGtaaGtGt aaGtGt aatt
TrGtGtaaGtGtaat t
bgbit gbitaatbt



 
 
 





 
 



 

 

 





 
 








 
 

 
 

 
 
 





*
0
2
00
2
00
2
2
expexp0 d
d1exp d
dexp d
1
π1
t
kjjj mmmBAk
kj m
t
jj Aj
t
jjAj
jj
A
bgbit gbitaatbt
tgnDittaa t
tg nDittaa t
gD n
gD naatiP
 
 
 
 

 












 






 

 








0djA
j
aa t




(19)
 




 






2
2
0
πd
1
jj
Aj
j
AA
gDn
A
g
Dnaa tiPaa t
AinaatBi naat

 

 





 




其中系数
 

2
π1Ag Dn


,
 
2
πBg Dn



同理可得其它各项(注意:(19)式中的第一项与第
四项、第二项与第三项互为共轭项,可利用此性质在
得到第一项和第二项后,立刻得到第三项和第四项两
式)。
 
  


20
1d
1
t
IAB I
AA
TrH ttH tt
Binata Ainata

 







 






(20)
介观 LC 电路在辐射场作用下约化密度方程的推导
 
  


20
1d
1
t
IABI
TrHtt Htt
BinataA inata

 


 




 






(21)
  



 


20
1d
1
t
AB II
AA
TrtH tH tt
A
intaaB intaa

 





 




(22)
把(19)~(22)式代入(15)式,得到


 
  
  




 
d1
d
1)
1
1
AAA
AA
AA
AA
Ainaa tBinaat
t
Binata Ainata
Binata Ainata
Aintaa Bintaa

 
 
 
 











 
 
 


 




 






(23)
把(23)式化简整理得到
  
 
d,,
d
,,
AAA A
AA
tiaa tAa taAata
t
BataBat a


,



 
 
 




 



(24)
上式可以化简成如下的等式
  

 

 

d,1 2
d2
2
2
AAAA
AAA
tiaatn taaaatata
t
ntaaaatata

 


 

 







(25)
对于 或者0T

0n

和0

,我们得到
  

d2
d2
AAA
ttaaaatata
t

 
 



(26)
其中
 
2
22πABgD



,

表征了耗散环
境衰减速率的物理量,

D

为光子数密度分布。(25)
式就是耗散环境中密度算符的演化遵循的密度方程。
4. 结果及讨论[12]
以上我们从介观 LC电路与环境的相互作用出
发,推导了电磁环境中密度算符的演化遵循的密度方
程。该结论在量子光学中经常用到,但在国内的文献
中难以见到。本文的推导对加深理解和研究介观电路
理论具有一定的指导意义。
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