用于大面积薄膜沉积的线形等离子体源研究进展 Research Progress of the Linear Plasma Source Used in the Films Deposition over Large Areas

doi:10.12677/APP.2012.24019

设为首页加入收藏期刊导航网站地图

期刊菜单

文章导航

Applied Physics 应用物理, 2012, 2, 109-115

http://dx.doi.org/10.12677/app.2012.24019 Published Online October 2012 (http://www.hanspub.org/journal/app.html)

Research Progress of the Linear Plasma Source Used in the

Films Deposition over Large Areas

Xiao Zuo, Longwei Chen*, Yu W ei, Yin Zhao, Yu edong Meng

Applied Plasma Division, Institute of Plasma Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei

Email: lwchen@ipp.ac.cn

Received: May 31st, 2012; revised: Jun. 14th, 2012; accepted: Jul. 1st, 2012

Abstract: The characteristics and application of several kinds of linear plasma sources are introduced. According to the

power sources for plasma systems, there are DC, RF, VHF, microwave and dual frequency linear plasma sources, which

with a magnet system are called magnetic field enhanced linear plasma sources. Compared with the conventional large

scale plasma sources, linear plasma sources take the advantage that they just need to obtain uniform and stable plasma

in one dimension. Through the linear plasma array or moving the substrate in horizontal and vertical direction, large

scale uniform thin film can be deposited. Recent years, researchers tried to use the magnetic field to confine plasma so

as to reduce the recombination loss in plasma and improve the density, uniformity and stability of plasma. The linear

plasma sources with the density above 1011 cm−3, dis-uniformity below ±5% (L > 1 m), have been applied to fabricate

large scale Si3N4, SiO2, intrinsic Si and nano-diamond thin film.

Keywords: Large Scale; Uniformity; Magnetic Field; Linear Plasma Sources

用于大面积薄膜沉积的线形等离子体源研究进展

左潇，陈龙威*，魏钰，赵颖，孟月东

中科院等离子体研究所低温等离子体应用研究室，合肥

Email: lwchen@ipp.ac.cn

收稿日期：2012 年5月31 日；修回日期：2012年6月14日；录用日期：2012年7月1日

摘要：本文系统介绍了几种线形等离子体源的特点及其应用，根据激励源的不同分别称为直流、射频、甚高

频、微波、双频线形等离子体源，有磁场辅助的称为磁场增强线形等离子体源。与传统的大面积等离子体源不

同，线形等离子体源仅需在一维方向实现均匀、稳定的等离子体，采用多个线形结构并排，或者与被镀样品在

水平/垂直方向以适当速度运动，即可获得大面积均匀的薄膜沉积。近年来，研究人员采用磁场约束技术，减少

带电粒子在器壁的复合损失，进一步提高等离子体的密度、均匀度和稳定性。线形等离子体及磁场增强线形等

离子体密度 > 1011 cm−3，不均匀度 < ±5% (L > 1 m)，被广泛用于Si3N4、SiO2、光伏电池硅本征层、纳米金刚石

等薄膜的大面积沉积，具有很重要的应用价值和科学意义。

关键词：大面积；均匀；磁场；线形等离子体

1. 引言

随着低温等离子体增强化学气相沉积技术(Plasma

Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)在大规

模集成电路、太阳能薄膜光伏电池、平板显示器、材

料表面改性、功能基团接枝及燃料电池离子交换膜等

领域应用的迅速发展，人们迫切地需要一种可以产生

高沉积/刻蚀速率、大面积均匀及稳定的低温等离子体

技术。为了能够获得这种技术，国内外等离子体业界

*通讯作者。

用于大面积薄膜沉积的线形等离子体源研究进展

2. 线形等离子体源

专家为此做出不懈的努力。其一，采用更加优越的等

离子体放电激励源，如直流激励源[1]，低频 (~500 kHz)

激励源[2]，射频(~13.56 MHz)激励源[3]，甚高频(~60

MHz)激励源[4]，超高频(~500 MHz)激励源[5]，双频

(13.56 MHz + 27.12 MHz等)激励源[6]，以及微波(~2.45

GHz)激励源[7]等；其二，采用更加优越的放电位型，

例如用射频做等离子体激励源，可以采用有电极电容

/电感耦合射频放电[8,9]，也可以采用无电极电感耦合

放电和螺旋波放电[10,11]等；其三，采用磁场增强/约束

放电[11-16]，例如用微波激励源，可以采用发散磁场位

型，也可以采用多级磁场位型等；其重要的目的在于

获得高密度、大面积均匀稳定的等离子体源。到目前

为止，这种技术仍在不断的研究与探索之中(见表1)。

实验结果表明，提高激励源频率利于提高等离子体密

度和降低离子能量，进而提高沉积/刻蚀速率、降低离

子轰击对薄膜的损伤等。但同时提高激励源频率存在

一些问题，例如电极表面驻波(TEM 波)及渐逝波导模

式(TE 波)引起的沉积速率不均匀[17]。

近年来，一种线形等离子体源引起了国内外专家

广泛的关注[7,20-28]。与传统的大面积(两维方向)和大体

积(三维方向)等离子体源不同，线形等离子体源仅需

在一维方向上实现均匀、稳定的等离子体，采用多个

线形等离子体源并排，或与被镀样品在水平/垂直方向

上以适当速度匀速运动，即可实现均匀的大面积薄膜

沉积。这种结构大大降低了高性能等离子体沉积薄膜

设备的开发难度，同时亦利于实现沉积薄膜的多工序

快速连续工作，具有非常高的应用前景和研究价值。

鉴于线形等离子体源的优良特性及其现实应用意义，

本文就线形等离子体源的研究现状及存在的关键问

题进行了较系统的分析和综述。

Table 1. Several kinds of plasma sources and their features

表1. 等离子体产生类型及特点

等离子体源等离子体密度(cm−3) 长度 L/直径 φ(m) 不均匀度

MWECR[13] ~1011 φ~0.3 ±3.8%

线形微波[14] ~1011~1012 L > 1 ~5%

PDP[15] ~1012 L > 0.15 ~5%

线形内置

ICP[18] ~1.5 × 1011 L~2 ~11%

甚高频[19] ~1.5 × 1010 L~1 ~12.5%

2.1. 无磁场线形等离子体源

2.1.1. 射频激励源

传统的电容耦合等离子体的密度不利于沉积速

率的提高，电感耦合等离子体沉积速率相对较高但其

面积难以提高。基于此，研究人员提出一种线形内置

式结构产生高密度电感耦合等离子体，天线的结构包

括蛇形[29]、(双)梳状[18,22,29-33]、U形阵列[34-37]等，典型

的天线结构如图 1所示。在 ICP 等离子体源中，射频

诱导电场在空间的分布决定了等离子体中的功率分

布和离子密度的分布。因此，诱导电场的空间分布决

定了等离子体的均匀性。双梳状天线和梳状天线的区

别在于，相邻两根天线中的电流方向不同。相关理论

模拟和实验发现，双梳状天线结构导致其产生的诱导

电场是中凹型分布，而梳状天线产生的诱导电场是中

凸型分布；这就使得双梳状天线产生的等离子体密度

的均匀性更好，比梳状天线更适用于大面积均匀薄膜

沉积/刻蚀处理。但是在相同功率条件下梳状天线在处

理室中心处激发的等离子体密度比双梳状天线更高，

适于较小面积的处理。

目前，这种结构适用的基片尺寸为2300 × 2000

mm2，等离子体密度约1.27 × 1011/cm3，刻蚀不均匀度

约10.8%。为了达到更高的沉积/刻蚀速率或是更好的

性能，研究人员采用了其他天线形状或更高频率(VHF)

实现高密度大面积均匀线形阵列等离子体源。结果表

明，使用这些方法虽然使等离子体密度有所提高，但

在大面积均匀性均有所降低。

2.1.2. 微波激励源

线形微波激励源一般具有高沉积/刻蚀速率的优

点，虽然提高激励频率可以提高截止等离子体密度，

但由于电极表面驻波(TEM 波)及渐逝波导模式(TE 波)

现象，等离子体沉积/刻蚀系统难以实现大面积均匀

化。线形微波等离子体有效地结合了微波等离子体及

线形结构的优点，近年来得到广泛关注[7,20,21,28,38-42]，

图2和图 3分别为波导传输结构和同轴传输结构线形

微波等离子体。波导传输结构等离子体激励源有较高

等离子体密度，同轴型线形微波等离子体源能克服上

述缺点，具备应用于大面积薄膜的均匀沉积的可能

性。

110

用于大面积薄膜沉积的线形等离子体源研究进展

Figure 1. The schematic of internal linear inductively coupled

plasma (ICP) sources

图1. 线形射频内置电感耦合等离子体源结构示意图

Figure 2. The schematic of linear waveguide conducted microwave

plasma sources

图2. 线形波导传输微波等离子体源结构示意图

Figure 3. The schematic of coaxial line plasma source

图3. 线形同轴传输微波等离子体源结构示意图

Yasuhito Kimura等[20]提出大尺度波导传输微波

(2.45 GHz)线形等离子体装置，长度达到1.1 m，密度

约4 × 1011/cm3，不均匀度低于5%。M. Liehr等[38]

提出大面积同轴传输微波线形等离子体源，这种结构

利用微波在传输过程中击穿气体形成放电，同时产生

的等离子体形成同轴传输外导体导引微波形成同轴

传输，这种结构被应用于沉积氮化硅、二氧化硅、纳

米金刚石薄膜等[42-44]。

2.1.3. 双频激励源

尽管电感耦合等离子体源(ICP) 在大面积表面处

理和薄膜沉积上很有应用前景。然而当等离子体源的

天线尺寸超过1 m 时产生的驻波效应，以及由于天线

上电压的增加导致与等离子体之间产生容性耦合均

会减低等离子体的均匀性。研究者试图通过改变等离

子体源天线构造和布局来克服这些问题。

双频等离子体具有高频激励源的高密度以及低

频激励源的大面积均匀性，研究人员结合双频激励与

线形结构获得大面积、高密度等离子体源[9,45]。图 4

为典型双频线形内置电感耦合等离子体结构示意图。

G. H. Gweon等[9]采用双频激励源(2 MHz/13.56 MHz)

获得 880 mm × 660 mm大面积等离子体源，等离子体

密度为 1.6 × 1011/cm3，不均匀度 6.3%，优于单频(13.56

MHz)的8.5%。

双频激励源的应用能有效地提高射频等离子体

激励源的均匀性。在这种结构下，一方面等离子体在

反应室里从激发源到基片台的传播速度增加了；另一

方面 2 MHz射频源的引入与单频激励源(13.56 MHz)

在等离子体空间中形成有利于带电粒子在等离子体

中扩散的电场位形。

2.2. 磁场增强/约束线形等离子体

磁场的引入能有效地影响电子的运动，一方面电

子沿磁力线方向运动平均自由程减小，碰撞的几率增

加，因而更容易激发等离子体；另一方面电子沿垂直

于磁力线方向的受到约束，向等离子体边缘的扩散运

动受到抑制。而由于离子的拉莫尔半径很大，基本上

不受磁场的影响。因此不仅在直流放电，即使在高频

或微波放电中，磁场的引入是促进等离子体的高密度

化、均匀化和低气压化的一种有效手段。

2.2.1. 直流激励源

Volkmar Hopfe等提出一种新型直流激励等离子

体源[46]，用于实现连续、低成本、快速的大气压电弧

远程等离子体增强化学气相沉积/刻蚀(linearly extended

DC arc discharge，即LARGE)，图 5为装置结构示意

用于大面积薄膜沉积的线形等离子体源研究进展

Figure 4. The schematic of dual frequency internal linear

inductively coupled plasma sources

图4. 双频线形内置电感耦合等离子体源结构示意图

(a) (b)

Figure 5. (a) The schematic of flat-panel plasma processing a work

piece; (b) The mechanism of horizontal and vertical stability of the

arc

图5. (a) 平板等离子体处理工件示意图；(b) 水平与垂直方向稳定

电弧原理示意图

图和等离子体电弧垂直与水平方向的稳定原理示意

图。垂直方向通过水冷铜板稳定电弧，而水平方向则

是通过磁场与电流相互作用产生的洛仑兹力稳定电

弧。该结构能产生高达104 K 的热等离子体，提供工

作长度 450 mm，静态沉积速率 5~50 nm·s−1，动态沉

积速率 0.1~1 nm·m−1·s−1。D. Linaschke 等[47]和I. Dani

等[48]分别采用 LARGE 结构在体硅晶片表面实现管线

式等离子体化学刻蚀及大面积晶硅电池表面的等离

子体活化等。

这种新型的直流激励等离子体源，相比于传统的

大气压化学气相沉积法不仅具有高沉积速率、低成

本、便于连续生产等优点外，能实验多种薄膜在廉价

衬底(玻璃、不锈钢等)上的大面积均匀制备，对基片

温度要求低。

G. Bräuer 等[49]设计一种线形磁控溅射沉积薄膜

设备，示意图如图 6所示。与传统的圆形靶材溅射工

作原理相同，但这种线形靶材的长度可以拉长至几乎

任意尺寸(如3.75 m)，通过在上方玻璃基片的运动实

现大面积薄膜沉积。

2.2.2. 射频激励源

外置式电感耦合等离子体源由于容性耦合效应

导致能量传输效率低导致等离子密度减低以及较高

的成本。研究发现通过磁场约束的内置式电感耦合等

离子体能提高提高等离子体密度和均匀性。

L. Bardos 等[50]提出射频空心阴极放电线形等离

子体源(LAD)，图 7所示为射频空心阴极放电结构示

意图。LAD 系统在两平行板之间形成空心阴极放电，

垂直于平行板的磁场能提高电子的反射，同时提高离

子对阴极的轰击作用，加热阴极板。将该装置用于沉

积Ti膜，沉积速率和均匀度达到 150 nm/min和3%(长

120 mm)。

LAD 结构产生的等离子体温度一般较高，适宜对

高熔点金属薄膜进行沉积。在基于射频电源产生的磁

场增强低温等离子体装置结构可归总为两种(图8和

9)。图 8所示为磁场增强线形射频等离子体源示意图，

H. Schlemm等[25]采用该线形等离子体结构实现大面

积(1 × 1 m2)氮化硅薄膜的沉积，沉积速率达到 80

nm/min，不均匀度低于 5%；B. B. Van Aken等[51]用该

装置沉积掺杂非晶硅和微晶硅。

Figure 6. The sectional schematic of linear balanced magnetron

sputter

图6. 线形平衡磁控溅射截面示意图

112

用于大面积薄膜沉积的线形等离子体源研究进展

Figure 7. Schematic representation of the linear arc discharge

(LAD) system

图7. LAD射频空心阴极放电结构示意图

Figure 8. The schematic of magnet enhanced linear plasma

sources

图8. 磁场增强线形射频等离子体源原理示意图

图9所示为线形内置式电感耦合等离子体结构示

意图及多级磁场阵列磁力线位形。这种结构[16,52-55]通

过多个线圈的组合及适当的磁场位形对等离子体的

约束作用以获得大面积(~880 × 660 mm2)、高密度

(~3.18 × 1011 cm−3)、均匀(不均匀度~5%)等离子体源。

这种磁场增强型等离子体激励源放电产生的等

离子体密度与无磁场等离子体源的等离子体密度相

比提高了 50% ，且等离子体的均匀性也有显著的提

高；但是相同功率下，电子温度有所降低。

J. Madocks等[15]使用50~450 kHz电源获得磁场增

强Penning放电线形等离子体沉积系统(图10)，并采用

“Roll to Roll”(R2R)结构实现柔性材料基片上连续的

薄膜沉积，沉积速率高达 500 nm/min，不均匀度~5%

(150 mm)，磁镜位型的磁场极大提高了射频源等离子

体沉积系统的性能。

(a)

(b)

Figure 9. (a) The schematic of internal linear inductively coupled

plasma (ICP) sources; (b) The schematic of multi-magnetic field

array

图9. (a) 线形内置式电感耦合等离子体结构示意图；(b) 多级磁场

阵列磁力线位形

2.2.3. 微波激励源

相比较磁场增强直流、射频线形等离子体源，磁

场增强微波激励线形等离子体具有更高的截止密度

(2.45 GHz, 7.4 × 1010 cm−3)，产生的等离子体将具有更

优异的非平衡特性。H. Schlemm等[14]采用磁场增强线

形微波等离子体源(图11)实现工业级大面积光伏电池

氮化硅薄膜的沉积，磁场提高了线形微波等离子体源

的等离子体密度、稳定性、均匀度以及工作气压，薄

膜面积 20 × 100 cm2沉积速率为 150 nm/min，均匀度优

于95%，工作气压 1 Pa~100 Pa，具有极高的应用前景。

3. 结论

线形等离子体源日渐引起国内外专家的广泛关

注，其仅需在一维方向实现均匀、稳定的等离子体，

用于大面积薄膜沉积的线形等离子体源研究进展

Figure 10. The schematic of roll to roll penning discharging

图10. R2R潘宁放电等离子体结构示意图

Figure 11. The sectional schematic of magnet enhanced linear

microwave plasma sources

图11. 磁场增强线形微波等离子体截面图

采用多个线形结构并排，或者与被镀样品在水平/垂直

方向以适当速度运动，即可获得大面积均匀的薄膜沉

积。本文主要论述了目前用于薄膜沉积/刻蚀的几种线

形等离子体技术，按其激励源可分为：直流、射频、

甚高频、微波、双频等，其目的均在于获得高密度、

均匀、稳定的等离子体。磁场(多级场、磁镜场等)能

够降低带电粒子在壁面的复合，提高等离子体的密

度、均匀度和稳定性，被用于辅助产生射频激励线形

等离子体和微波激励线形等离子体，等离子体密度 >

1011 cm–3，不均匀度 < ±5% (L > 1 m)。因其所具有的

特点，线形等离子体及磁场增强线形等离子体被广泛

用于 Si3N4、SiO 2、光伏电池硅本征层、纳米金刚石等

薄膜的沉积，具有很重要的应用价值和研究意义。

参考文献 (References)

[1] K. H. Schoenbach, T. Tessnow, F. E. Peterkin and W. W.

ncy, high-density, inductively coupled

l and structural proprieties of nc-Si:H

lar cell deposition

ahashi. RF ion source for low

of polymorphous silicon

lor, et al. Novel high frequency pulsed MW-linear antenna

. Wünsche and S. Günther. Magnetically enhanced RF

Gweon, et al. Investigation of the plasma uniformity in an

the

. Large-area high-density helicon plasma

ces in large area coating: A

zawa, et al. A large-area ECR processing plasma. Plasma

eposition

lms

Kim, M. S. Kim and G. Y. Yeom. Effective plasma con-

er feeding in large area PECVD

lasma

tion by

r microwave discharges.

, et al. Linear inductive antenna design for large area

Byszewski. Microhollow cathode discharges. Applied Physics

Letters, 1996, 68(1): 3.

[2] S. Xu, et al. Low-freque

plasma sources: Operation and applications. Physics of Plasmas,

2001, 8(5): 2549-2557.

[3] R. Amrani, et al. Optica

prepared by argon diluted silane PECVD. Journal of Non-

Crystalline Solids, 2012, 358(17): 1978-1982

[4] A. J. Flikweert, et al. Microcrystalline thin-film so

on moving substrates using a linear VHF-PECVD reactor and a

cross-flow geometry. Journal of Physics D: Applied Physics,

2012, 45(1): Article ID: 015101.

[5] M. Tanjyo, S. Sakai and M. Tak

energy ion implantation—Beam profile control of a large-area

ion source using 500-MHz discharge. Surface and Coatings

Technology, 2001, 136(1-3): 281-284.

[6] H. Aguas, et al. Large area deposition

by plasma enhanced chemical vapor deposition at 27.12 MHz

and 13.56 MHz. Japanese Journal of Applied Physics Part 1-

Regular Papers Short Notes & Review Papers, 2003, 42(8): 4935-

4942.

[7] A. Tay

plasma-chemistry: Routes towards large area, low pressure nano-

diamond growth. Diamond and Related Materials, 2011, 20(4):

613-615.

[8] R. Rank, T

discharges for effective pre-treatment of plastic webs at high

speed. Surface and Coatings Technology, 2003, 174-175: 218-

221.

[9] G. H.

internal linear antenna-type inductively coupled plasma source

by applying dual frequency. Vacuum, 2010, 84(6): 823-827.

[10] M. Mao, A. Bogaerts. Investigating the plasma chemistry for

synthesis of carbon nanotubes/nanofibres in an inductively coupled

plasma enhanced CVD system: The effect of different gas

mixtures. Journal of Physics D: Applied Physics, 2010, 43(20):

Article ID: 205201.

[11] S. Shinohara, et al

sources. Plasma Sources Science and Technology, 2010, 19(3):

Article ID: 034018.

[12] A. Anders. Plasma and ion sour

review. Surface and Coatings Technology, 2005, 200(5-6): 1893-

1906.

[13] W. Miya

Sources Science and Technology, 1996, 5(2): 265.

[14] H. Schlemm, et al. Industrial large scale silicon nitride d

on photovoltaic cells with linear microwave plasma sources.

Surface and Coatings Technology, 2003, 174-175: 208-211.

[15] J. Madocks, J. Rewhinkle and L. Barton. Packaging barrier fi

deposited on PET by PECVD using a new high density plasma

source. Materials Science and Engineering: B, 2005, 119(3): 268-

273.

[16] K. N.

finement by applying multipolar magnetic fields in an internal

linear inductively coupled plasma system. Applied Physics Letters,

2006, 88(16): Article ID: 161503.

[17] U. Stephan, et al. Problems of pow

of amorphous silicon. MRS Proceedings, 1999, 557: 157-162.

[18] J. Lim, et al. Study of internal linear inductively coupled plas

source for ultra large-scale flat panel display processing. Plasma

Chemistry and Plasma Processing, 2009, 29(4): 251-259.

[19] D. S. Hwang, et al. Dual comb-type electrodes as a p

source for very high frequency plasma enhanced chemical vapor

deposition. Thin Solid Films, 2010, 518(8): 2124-2127.

[20] Y. Kimura, et al. A new method of line plasma produc

microwave in a narrowed rectangular waveguide. Applied Physics

Express, 2009, 2(12): 126002-126002-3.

[21] S. Hubner, et al. Investigating a coaxial linea

Journal of Physics D—Applied Physics, 2011, 44(38): Article ID:

385202.

[22] K. N. Kim

114

用于大面积薄膜沉积的线形等离子体源研究进展

t al. PECVD deposition of a-Si:H and mu

stalline

, M. Fritzsche and D. Roth. Linear radio frequency

Productivity potential of an inline deposition

ce for lar

. Low-impedance internal linear inductive antenna

pe inductively

le comb-type

d G. Y. Yeom. Plasma and impedance

d p

. Yeom. Inductively coupled

. Y. Yeom. Etching characteristics of

Characteristics of large area inductively coupled

racteristics of induct

po. Microwave PECVD for large area

flat panel display plasma processing. Microelectronic Engineering,

2012, 89: 133-137.

[23] B. B. Van Aken, e

c-Si:H using a linear RF source. San Diego: SPIE, 2007.

[24] T. Zimmermann, et al. Inline deposition of microcry

silicon solar cells using a linear plasma source. Physica Status

Solidi C—Current Topics in Solid State Physics, 2010, 7(3-4):

1097-1100.

[25] H. Schlemm

plasma sources for large scale industrial applications in photo-

voltaics. Surface & Coatings Technology, 2005, 200(1-4): 958-

961.

[26] C. Strobel, et al.

system for amorphous and microcrystalline silicon solar cells.

Solar Energy Materials and Solar Cells, 2009, 93(9): 1598-1607.

[27] J. Rudiger, et al. VHF plasma processing for in-line deposition

systems. Thin Solid Films, 2003, 427(1-2): 16-20.

[28] M. Kaiser, et al. Linearly extended plasma sourge- [

scale applications. Surface and Coatings Technology, 1999, 116-

119: 552-557.

[29] K. N. Kim, et al

for large-area flat panel display plasma processing. Applied

Physics Letters, 2005, 97(6): Article ID: 063302.

[30] J. H. Lim, et al. Uniformity of internal linear-ty

coupled plasma source for flat panel display processing. Applied

Physics Letters, 2008, 92(5): Article ID: 051504.

[31] K. N. Kim, et al. Scalable internal linear doub

inductively coupled plasma source for large area flat panel

display processing. Surface and Coatings Technology, 2008,

202(22-23): 5242-5245.

[32] K. N. Kim, S. J. Jung an [49]

characteristics of internal linear antennas for flat panel display

applications. Thin Solid Films, 2005, 491(1-2): 82-85.

[33] K. N. Kim, et al. Novel internal linear inductively couplelasma [50] L. Bardos, et al. Linear arc discharge source for large area

plasma processing. Applied Physics Letters, 1997, 70(5): 577.

source for flat panel display applications. Japanese Journal of

Applied Physics, 2005, 44: 8133.

[34] J. H. Lim, K. N. Kim and G. Y

plasma source using internal multiple U-type antenna for ultra

large-area plasma processing. Plasma Processes and Polymers,

2007, 4(S1): S999-S1003.

[35] S. J. Jung, K. N. Kim and G

multiple U-type internal linear inductively coupled plasma for

flat panel display. Surface and Coatings Technology, 2005, 200

(1-4): 780-783.

[36] K. N. Kim, et al.

plasma using a multiple linear antennas with U-type parallel

connection for flat panel display processing. Japanese Journal of

Applied Physics, 2006, 45: 8869-8872.

[37] K. N. Kim, S. J. Jung and G. Y. Yeom. Chaively [55] K. N. Kim, et al. Plasma characteristics and antenna electrical

characteristics of an internal linear inductively coupled plasma

source with a multi-polar magnetic field. Plasma Chemistry and

Plasma Processing, 2008, 28(1): 147-158.

coupled plasma with multiple U-type internal antennas for flat

panel display applications. Surface and Coatings Technology,

2005, 200(1-4): 784-787.

[38] M. Liehr, M. Dieguez-Cam

coating. Surface & Coatings Technology, 2005, 200(1-4): 21-25.

[39] N. Neykova, et al. Novel plasma treatment in linear antenna

microwave PECVD system. Vacuum, 2012, 86(6): 603-607.

[40] M. Liehr, S. Wieder and M. Dieguez-Campo. Large area micro-

wave coating technology. Thin Solid Films, 2006, 502(1-2): 9-

14.

[41] E. Räuchle. Duo-plasmaline, a surface wave sustained linearly

extended discharge. Journal de Physique Archives, 1998, 8(PR7):

99-108.

[42] F. Fendrych, et al. Growth and characterization of nanodiamond

layers prepared using the plasma-enhanced linear antennas micro-

wave CVD system. Journal of Physics D: Applied Physics, 2010,

43(37): Article ID: 374018.

[43] 杨志威, 陈立民, 耿春雷, 唐伟忠, 吕反修, 苗晋琦, 赵中琴.

线形同轴耦合式微波等离子体 CVD 法制备金刚石薄膜[J].

人工晶体学报, 2004, 33: 4.

44] 唐伟忠, 蒋开云, 耿春雷, 黑立富. 线形微波等离子体CVD

金刚石薄膜沉积技术[J]. 真空科学与技术学报, 2006, 26: 4.

[45] K. N. Kim, et al. Effect of dual frequency on the plasma cha-

racteristics in an internal linear inductively coupled plasma source.

Applied Physics Letters, 2006, 89(25): Article ID: 251501.

[46] V. Hopfe, et al. Linear extended ArcJet-CVD—A new PECVD

approach for continuous wide area coating under atmospheric

pressure. Chemical Vapor Deposition, 2005, 11(11-12): 510-522.

[47] D. Linaschke, et al. In-line plasma-chemical etching of crystalline

silicon solar wafers at atmospheric pressure. IEEE Transactions

on Plasma Science, 2009, 37(6): 979-984.

[48] I. Dani, et al. Atmospheric-pressure plasmas for solar cell manu-

facturing. Contributions to Plasma Physics, 2009, 49(9): 662-

670.

G. Bräuer. Large area glass coating. Surface and Coatings Tech-

nology, 1999, 112(1-3): 358-365.

[51] B. B. Van Aken, et al. Deposition of phosphorus doped a-Si:H

and mu c-Si:H using a novel linear RF source. Journal of Non-

Crystalline Solids, 2008, 354(19-25): 2392-2396.

[52] Y

. J. Lee, et al. Linear internal inductively coupled plasma (ICP)

source with magnetic fields for large area processing. Thin Solid

Films, 2003, 435(1-2): 275-279.

[53] K. N. Kim, et al. Effects of multipolar magnetic fields on the

characteristics of plasma and photoresist etching in an internal

linear inductively coupled plasma system. Surface and Coatings

Technology, 2004, 177-178: 752-757.

[54] K. N. Kim, J. H. Lim and G. Y. Yeom. Plasma and antenna

characteristics of a linearly extended inductively coupled plasma

system using multi-polar magnetic field. Thin Solid Films, 2007.

515(12): 5193-5196.